據新華社報道，目前，北緯三十八度集成電路制造有限公司（以下簡稱“BWIC”）廠房基礎建設已經完成，正在驗收階段，預計明年年中可投產，年底可實現量產。

圖片來源：新華社

此外，BWIC總經理蔣建對此表示，達產以后，如果芯片全部用于制造手機的話，每年可以制造3億多部手機的射頻模組芯片。

據了解，BWIC的“微波功率放大器芯片制造加工項目”和“射頻聲表面波濾波器芯片制造加工項目”入選2020年山西省級重點工程項目名單。

北緯三十八度集成電路制造有限公司(以下簡稱”BWIC”或公司)創(chuàng)立于2018年，位于山西省北緯三十八度的忻州市，是6英寸GaAs化合物半導體IC芯片的專業(yè)晶圓代工服務公司。

BWIC新建一條6英寸砷化鎵集成電路生產線，由具有化合物半導體生產研發(fā)豐富經驗的中日團隊管理及運營，能提供優(yōu)質的、高效能水平的贗配高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術。

該pHEMT工藝能應用射頻、微波和毫米波集成電路，主要包括智能手機、平板電腦、筆記本電腦等中的搭載的射頻功率放大器模塊、GPS低噪聲放大器和射頻開關等等。

BWIC 將吸收和引進先進水平的6英寸砷化鎵集成電路(GaAs IC)制備技術，采用目前掌握的行業(yè)領先工藝技術批量生產性能優(yōu)異的6英寸砷化鎵集成電路產品，用于射頻、微波和毫米波集成電路。

主要包括功率放大器、低噪聲放大器、RF開關等產品，為實現4G移動通信系統、無線WiFi系統、高速衛(wèi)星通信系統等必不可少的關鍵部件，并且在將來的5G移動通信系統、新興的汽車防撞系統、衛(wèi)星定位系統等領域具有廣闊的應用前景。

核心技術是0.25微米增強型AlGaAs/InGaAs pHEMT IC工藝，這工藝也包括金屬電阻、外延層電阻、MIM電容和背面通孔。為了滿足毫米波應用的要求，將來開發(fā)0.15微米增強型pHEMT IC工藝。

———— / END / ————

引用自: 今日半導體

責聲明:源自 今日半導體。文章內容系作者個人觀點，轉載僅為了傳達不同觀點交流與提升半導體行業(yè)認知，不代表對該觀點贊同或支持，如轉載涉及版權等問題，請發(fā)送消息至公號后臺與我們聯系，我們將在第一時間處理，非常感謝。