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華虹半導(dǎo)體90納米BCD工藝平臺(tái)投片
2020-05-11 09:25:41
詳細(xì)內(nèi)容

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近日,華虹半導(dǎo)體有限公司宣布,其高性能90納米BCD工藝平臺(tái)在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積,將在數(shù)字電源、數(shù)字電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。


緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢(shì),華虹半導(dǎo)體最新推出了90納米BCD工藝平臺(tái),其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段,其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導(dǎo)通電阻,達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。


為了滿(mǎn)足高集成度發(fā)展趨勢(shì),該工藝平臺(tái)亦提供1.5V CMOS選項(xiàng),具有更高的邏輯門(mén)密度,可有效縮減芯片面積。結(jié)合較少的生產(chǎn)掩模數(shù),能為客戶(hù)提供性?xún)r(jià)比更優(yōu)的芯片代工方案。


同時(shí),該平臺(tái)可提供多種器件集成,并配套豐富的數(shù)字單元庫(kù)和OTP及MTP嵌入式存儲(chǔ)器選項(xiàng),增強(qiáng)了設(shè)計(jì)的集成度和靈活度。在該平臺(tái)上,華虹半導(dǎo)體還將繼續(xù)投入研發(fā)資源,提供更豐富的器件類(lèi)型,并將LDMOS擴(kuò)展至40V及以上電壓段,覆蓋更廣泛的應(yīng)用需求。


此外,華虹半導(dǎo)體持續(xù)8英寸生產(chǎn)線的研發(fā)創(chuàng)新,優(yōu)化升級(jí)現(xiàn)有滿(mǎn)足車(chē)規(guī)要求的180納米BCD技術(shù),在相同的擊穿電壓下,導(dǎo)通電阻平均降低約25%,技術(shù)性能顯著提升,達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。


公司將進(jìn)一步將180納米BCD技術(shù)中的LDMOS的最高電壓由40V擴(kuò)展至100V,并提供更多電壓段的設(shè)計(jì)選項(xiàng),滿(mǎn)足工業(yè)控制及汽車(chē)電子領(lǐng)域需求。同時(shí),集成嵌入式閃存模塊的110納米BCD工藝平臺(tái),可達(dá)到車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用要求,實(shí)現(xiàn)了高智能化控制與電源管理集成的單芯片解決方案。


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引用自華虹半導(dǎo)體

免責(zé)聲明:源自華虹半導(dǎo)體。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn),轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)不同觀點(diǎn)交流與提升半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)知,不代表對(duì)該觀點(diǎn)贊同或支持,如轉(zhuǎn)載涉及版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)發(fā)送消息至公號(hào)后臺(tái)與我們聯(lián)系,我們將在第一時(shí)間處理,非常感謝

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